1、核心觀點：半導(dǎo)體設(shè)備四大核心驅(qū)動——自主可控需求、先進制程突破、資本開支持續(xù)、政策支持加強
美日荷先進設(shè)備封鎖，自主可控推動國產(chǎn)化率快速提升。全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備公司（以營收排名）中三家美國、四家日本、兩家荷蘭、一家韓國公司。去年10月美國封鎖國內(nèi)先進制程，日本對六類23項先進設(shè)備禁止出口，荷蘭亦跟進先進光刻機制裁，在此外部制裁背景下，自主可控勢在必行，國內(nèi)頭部邏輯、3DNAND龍頭及二線晶圓廠積極推進設(shè)備國產(chǎn)化，國產(chǎn)成熟設(shè)備加速補短板增長板，國產(chǎn)化率提升有望快速提升。
先進制程突破有望提速，部分環(huán)節(jié)已實現(xiàn)工藝突破。國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商持續(xù)加大研發(fā)，除光刻機外，其他重點環(huán)節(jié)均實現(xiàn)28nm制程突破，去膠、部分刻蝕和清洗已經(jīng)達到先進制程節(jié)點。外部制裁下國內(nèi)晶圓廠積極向設(shè)備廠商開放各個工藝環(huán)節(jié)驗證機會，設(shè)備驗證、調(diào)試機會大大增多，推動性能指標、穩(wěn)定性逐步提升，我國半導(dǎo)體設(shè)備從成熟邁向先進制程的節(jié)奏有望提速。
(相關(guān)資料圖)
23年資本開支持續(xù)高位，芯片國產(chǎn)化率低設(shè)備長期需求大。23年國內(nèi)晶圓廠逆周期擴產(chǎn)，中芯預(yù)計23年投資額與去年持平，頭部存儲有序擴產(chǎn)，疊加國內(nèi)地方晶圓廠擴產(chǎn)加速，今年半導(dǎo)體資本開支有望維持去年高水平。且上半年招投標主要集中在中小廠商，預(yù)計下半年頭部晶圓廠資本開支相較上半年提速。遠期來看，當前芯片國產(chǎn)化率低2021年中國大陸芯片自給率16.7%（國產(chǎn)線占6.6%），低國產(chǎn)化率、自主可控是晶圓廠長期擴產(chǎn)動力，設(shè)備長期需求無虞。
國內(nèi)政策支持預(yù)期升溫，“舉國體制”扶持力度不斷增強。今年以來國家層面不斷加大對集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持力度：重組科技部、組建中央科技委員會；國資委要求央企加大對集成電路領(lǐng)域的科技投入，加強“卡脖子”核心技術(shù)攻關(guān)，舉國體制推動行業(yè)加速發(fā)展。
2、核心數(shù)據(jù)：
2022年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額約1900億人民幣，占全球26%，連續(xù)三年成為全球最大市場。
關(guān)注國產(chǎn)化率低、市場空間大的環(huán)節(jié)。當前我國ALD、光刻、量測檢測、離子注入等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率極低，均低于5%。涂膠顯影、CVD、刻蝕、PVD等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率較低，位于10%至30%之間。清洗（34%）、熱處理（40%）、去膠（90%）國產(chǎn)化率較高。刻蝕、薄膜沉積（包括CVD、PVD、ALD）、光刻、量測檢測市場空間居前四，分別約418、399、323、228億元人民幣。量測檢測市場空間大，當前國產(chǎn)化率低，國產(chǎn)替代空間廣闊。
業(yè)績回顧：22年板塊業(yè)績高增長，新簽訂單數(shù)據(jù)亮眼。22年半導(dǎo)體設(shè)備板塊營收同比+50%，歸母凈利潤同比+72%，毛利率45.7%（同比+2.6pct），凈利率18.6%（同比+2.3pct），營收利潤高增長，盈利能力持續(xù)提升。合同負債、存貨、新簽訂單等前瞻指標高增長。23Q1末，半導(dǎo)體設(shè)備板塊合同負債預(yù)收款項167.6億元，同比+68.7%，存貨368.2億元，同比+68.0%。22年中微公司、拓荊、至純新簽訂單同比+53%、95%、61%，華海清科新簽訂單創(chuàng)歷史新高，微導(dǎo)納米23年前四月新簽訂單近去年全年水平。
3、投資建議：自主可控邏輯繼續(xù)強化，關(guān)注低國產(chǎn)化率的環(huán)節(jié)和具備先進制程突破能力的公司。推薦北方華創(chuàng)、中微公司、晶盛機電、微導(dǎo)納米、拓荊科技、芯源微、盛美上海、華海清科、華峰測控、精測電子、賽騰股份、羅博特科，關(guān)注中科飛測、至純科技、萬業(yè)企業(yè)、長川科技。
4、風險提示：國產(chǎn)化進程低于預(yù)期風險、美國半導(dǎo)體管制加劇風險、零部件供應(yīng)風險。
